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ZXMD65P02N8TA 零件图片（仅供参考）

ZXMD65P02N8TA
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ZXMD65P02N8TA 规格参数

  • 制造商产品型号：ZXMD65P02N8TA
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A（最小）
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.75W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • ZXMD65P02N8TA，Pericom（Diodes）产品一站式供应商。
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ZXMD65P02N8TA 基本参数：

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