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DMN95H2D2HCTI 零件图片（仅供参考）

DMN95H2D2HCTI
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DMN95H2D2HCTI 规格参数

  • 制造商产品型号：DMN95H2D2HCTI
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：950V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1487pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：ITO-220AB
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DMN95H2D2HCTI 基本参数：

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