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DMG9N65CT 零件图片（仅供参考）

DMG9N65CT
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DMG9N65CT 规格参数

  • 型号:DMG9N65CT
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:165W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 封装/外壳:TO-220-3
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DMG9N65CT 基本参数：

  • 电子零件型号：DMG9N65CT
  • 原始制造厂商：Pericom（已被Diodes公司收购）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询DMG9N65CT的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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